与P型碳化硅形成欧姆接触的方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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与P型碳化硅形成欧姆接触的方法.pdf

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一种与p型碳化硅层(1)形成欧姆接触的方法包括：提供具有第一主侧面(18)和与第一主侧面(18)相反的第二主侧面(19)的p型碳化硅层(1)的步骤；从第一主侧面(18)向p型碳化硅层(1)注入离子，在第一主侧面(18)附近形成注入层(11)的步骤。该方法特征在于，通过等离子体浸没离子注入来执行将离子注入到p型碳化硅层(1)中的步骤，其中，将p型碳化硅层(1)浸没在包括第一离子(31)和第二离子(32)的等离子体(3)中，第一离子(31)是离子化的铝原子，第二离子(32)不同于第一离子(31)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284793 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110150064.X (22)申请日 2021.02.02 (30)优先权数据