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隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法.pdf

    本公开涉及隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法。一种半导体结构包括：布置在衬底上方的半导体层的堆叠；布置在半导体层的堆叠上方并且与其交错的金属栅极结构，金属栅极结构包括布置在栅极介电层上方的栅极电极；布置在半导体层的堆叠的第一侧壁附近的第一隔离结构，其中栅极介电层填充第一隔离结构和半导体层的堆叠的第一侧壁之间的空间；以及布置在半导体层的堆叠的第二侧壁附近的第二隔离结构，其中栅极电极填充第二隔离结构和半导体层的堆叠的第二侧壁之间的空间。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639637 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210096337.1 (22)申请日 2022.01.26 (30)优先权数据

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