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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本发明的实施方式提供能够形成适宜的衬垫的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备第1衬垫，其是设置于第1绝缘膜内的第1衬垫，包含设置于第1绝缘膜的侧面及下表面的第1层、和介由第1层设置于第1绝缘膜的侧面及下表面的第2层。上述装置进一步具备第2衬垫，其是在第1绝缘膜上的第2绝缘膜内设置于第1衬垫上的第2衬垫，包含设置于第2绝缘膜的侧面及上表面的第3层、和介由第3层设置于第2绝缘膜的侧面及上表面的第4层。上述装置进一步具备第1部分，其设置于第1衬垫的上表面与第2绝缘膜的下表面之间、或

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639648 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202110676488.X (22)申请日 2021.06.18 (30)优先权数据

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