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包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法.pdf

    本申请提供了包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法。薄膜晶体管可以通过以下步骤来制造：在衬底之上的绝缘层中形成栅极电极；在栅极电极和绝缘层之上形成栅极电介质；在栅极电极之上形成有源层；以及形成源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极与有源层的顶表面的相应部分接触。可以通过将氧原子引入到栅极电介质和有源层中的至少一者的表面区域中来增加栅极电介质和有源层中的相应一者中的表面氧浓度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639726 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210119369.9 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2022.02

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