半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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本发明实施方式提供一种能够提高通道半导体层的性能的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底及多个电极层，所述多个电极层在与所述衬底的表面垂直的第1方向上相互隔开设置。进而，所述装置具备依次设置在所述电极层的侧面上的第1绝缘膜、电荷累积层、第2绝缘膜、包含硅的第1半导体区域、及包含硅与碳的第2半导体区域，所述第1半导体区域与所述第2绝缘膜的界面包含氟。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171527 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202110256127.X (22)申请日 2021.03.09 (30)优先权数据 2020-1523