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一种陶瓷衬底钛及钛化合物结合层结构的蚀刻方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种陶瓷衬底钛及钛化合物结合层结构的蚀刻方法.pdf

    本发明属于高功率半导体技术领域，尤其为一种陶瓷衬底钛及钛化合物结合层结构的蚀刻方法，包括陶瓷基体、结合层、焊料层和铜泊，所述结合层、焊料层和铜泊由内到外依次贴合在陶瓷基体的表面形成覆铜陶瓷板，所述覆铜陶瓷板经铜蚀刻、焊料蚀刻后，置于蚀刻液反应形成所需图形，蚀刻液包含水溶液过氧化氢、氨水；结构中含有羧基及其盐类化合物一种或多种、咪唑类以及有机胺一种或多种。本发明通过制备液上述的特殊组成成分，可以将覆铜陶瓷板经铜蚀刻、焊料蚀刻后置于制备液反应，能够去除该陶瓷衬底上的钛系金属、钛化合物，同时制备液中不

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113265659 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110574536.4 (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人 绍兴德汇半导体材料有限公司

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