一种基于CsPbI3材料的发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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本发明涉及一种基于CsPbI3材料的发光二极管,包括如下步骤:(1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干,准备透明导电玻璃作为阳极基底;(2)制备钙钛矿前驱体溶液;(3)将导电玻璃转移至真空腔,在钙钛矿薄膜的表面依次热蒸镀形成电子传输层(POT2T)、电子注入层(Liq)和金属阴极电极(Al),与现有技术相比,本发明CsPbI3材料的发光二极管的制备工艺简单,所制备的CsPbI3材料的发光二极管的光色稳定,采用2次旋涂法制备钙钛矿发光层,有效的提高器件的发光效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113285042 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110436574.3 (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人 北方民族大学 地址

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