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本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于至少一个源极层上方；和存储器开口填充结构组，该存储器开口填充结构组竖直延伸穿过该交替堆叠。每个存储器开口填充结构可包括存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道。多个源极侧选择栅极电极可通过源极选择层级介电隔离结构横向间隔开。另选地或除此之外，该至少一个源极层可包括多个源极层。可通过选择源极层和/或通过选择源极层级导电层选择存储器开口填充结构组。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114868248 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202180006591.1 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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