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本发明的实施方式提供一种不会使字线的电压控制性变差而可靠性高的半导体存储装置。本发明的一实施方式的半导体存储装置包含：多个导电层，相互隔开间隔在第1方向上积层；及接触插塞，连接于作为所述多个导电层中的一层的第1导电层；且所述第1导电层具有：第1部分；第2部分，相对于所述第1部分在与所述第1方向正交的第2方向上隔开；及第3部分，位于所述第1部分与所述第2部分之间。所述半导体存储装置具备第3区域，所述第3区域包含所述第3部分、及在所述第3部分中沿所述第1方向延伸并且具有绝缘材料的多个第3柱；且所述第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864592 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210086809.5
(22)申请日 2022.01.25
(30)优先权数据
2021-017321 202
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