具有改进的电场抑制的高压半导体器件.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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具有改进的电场抑制的高压半导体器件.pdf

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提供了一种半导体器件(16)。该半导体器件(16)包括形成在端接区域上的电场(E场)抑制层(36)。E场抑制层(36)图案化为在金属接触区域(66)上形成有开口。E场抑制层(36)的厚度使得当半导体器件(16)在最大电压或低于最大电压下操作时，E场抑制层(36)上方的电场强度低于相邻材料的介电强度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113287192 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 201980088826.9 克里斯托弗 ·詹姆斯 ·卡普斯塔　 (22)申请日