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本发明提供一种能够抑制杂质从支撑基板向外延层扩散的外延晶圆的制造方法及外延晶圆。该外延晶圆的制造方法的特征在于，具有：外延层形成工序，在活性层用晶圆(11)的表面上形成外延层(17)；吸杂层形成工序，在支撑基板用晶圆(12)及外延层(17)中的至少一者的内部形成吸杂层(16)，该吸杂层(16)包含有助于吸除重金属的元素；贴合工序，在真空且常温的环境下，对外延层(17)的表面及支撑基板用晶圆(12)的表面实施活化处理而在两个表面上形成非晶层(18)后，隔着两个表面的非晶层(18)将活性层用晶圆(1
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108885998 A
(43)申请公布日
2018.11.23
(21)申请号 20168
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