SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备.pdf

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公开了一种制造静态随机存取存储(SRAM)单元的方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上依次设置第一组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及第二组的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠层；在该叠层上形成硬掩模层，包括用于限定SRAM单元中晶体管的主体部分以及主体部分之间的、用于限定SRAM单元中互连结构的连接部分，连接部分的线宽小于主体部分的线宽；利用硬掩模层，在第二组的沟道层和第二源/漏层中限定下拉晶体管和通过门晶体管的有源区；利用硬掩模层，在第二组的第一源/漏层和第一组的第二源/漏层中

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664742 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210174390.9 (22)申请日 2019.09.23 (62)分案原申请数据 201910902431.X