半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备.pdf

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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决现有技术中三维存储器生产成本较高的技术问题。半导体结构包括堆叠结构、导电结构和导电插塞。堆叠结构包括核心区和非核心区。堆叠结构包括沿第一方向层叠设置的多层栅极层。多层栅极层间隔分布。导电结构位于非核心区。导电结构包括第一部分和第二部分。第一部分与一层栅极层同层设置且电接触。第二部分与第一部分电接触。第二部分向上贯穿堆叠结构，且围设出插塞开口。导电插塞位于插塞开口内且与第二部分电接触。上述半导体结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664851 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210220730.7 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4