三维存储器及其制备方法、存储系统及电子设备.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法、存储系统及电子设备.pdf

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本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，以解决接触孔蚀穿栅极层而导致的不同的栅极层之间短接的问题。该三维存储器包括堆叠结构、刻蚀停止层、保护层和多个连接柱，堆叠结构包括交替设置的栅极层和介质层；堆叠结构包括多级台阶；刻蚀停止层设置于台阶上；保护层覆盖堆叠结构和刻蚀停止层；连接柱贯穿保护层及对应的台阶上的刻蚀停止层，与对应的台阶的栅极层电连接。上述三维存储器应用于存储系统中，以实现数据的读取和写入操作。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664856 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210270254.X H01L 27/11548 (2017.01)