竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成.pdf

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本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成。实例方法包含用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。使用蚀刻过程来形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一区的竖直侧壁。所述第一区经选择性蚀刻以形成去除所述牺牲材料且与所述第一竖直开口相隔第一水平距离的第一水平开口。在所述第一水平开口中沉积多层第一源极/漏极材料、沟道材料和第二源极/漏极材料以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068551 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110724573.9 (22)申请日 2021.06.29 (30)优先权数据 16/986,51