半导体存储器件.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储器件.pdf

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提供一种具有改善的电特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，其在第一方向上与衬底分离；第一栅极结构，其在第一方向上延伸并穿透第一半导体图案；第一导电连接线，其连接至第一半导体图案并在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及第二导电连接线，其连接至第一半导体图案。第一栅极结构位于第一导电连接线和第二导电连接线之间，第一栅极结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，且第一栅极绝缘膜包括与第一半导体图案接触的第一电荷保持膜。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446990 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111276609.8 (22)申请日 2021.10.29 (30)优先权数据 10-2020-0145137