致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件.pdfVIP

致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件.pdf

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本发明提供一种致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件。本发明的致密质复合材料含有43～63质量％的硅化钛，并且含有分别比硅化钛的质量％少量的碳化硅和碳化钛，碳化硅的粒子间距离的最大值为40μm以下，标准偏差为10以下，开口气孔率为1％以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113264775 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110081654.1 (22)申请日 2021.01.21 (30)优先权数据

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