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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284971 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110400215.2
(22)申请日 2021.04.14
(71)申请人 中国计量大学
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