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- 2023-06-17 发布于四川
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提供一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括衬底、多层堆叠、多个存储单元以及多个导电接触窗。衬底包括阵列区与阶梯区。多层堆叠配置在阵列区中的衬底上，其中多层堆叠的端部在阶梯区上延伸以成形为阶梯结构。多个存储单元分别设置在阵列区中的多层堆叠的侧壁上，且至少沿多层堆叠的堆叠方向排列。多个导电接触窗分别位于阶梯结构上。至少两个导电接触窗彼此电性连接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464628 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202111195967.6 H01L 27/1159 (2017.01)
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