晶体管及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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晶体管及其形成方法.pdf

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本文公开了表现出减小的寄生电容和因此改善的性能的鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET具有集成至它们的栅极结构中的栅极空气间隔件。示例性晶体管包括：鳍；以及栅极结构，设置在第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件之间的鳍上方。栅极结构包括栅电极、栅极电介质以及设置在栅极电介质和栅电极的侧壁之间的栅极空气间隔件。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284951 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110137733.X H01L 21/336 (2006.01)