半导体元件的形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体元件的形成方法.pdf

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半导体元件的形成方法。一种多层光阻、其形成方法、以及以其图案化目标层。在一实施例中，形成方法包括沉积反射膜堆叠于目标层上，反射膜堆叠包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料具有比第二材料更高的折射率；沉积光敏层于反射膜堆叠上；图案化光敏层以形成第一开口，露出反射膜堆叠，图案化光敏层包括将光敏层暴露于图案化能量源，反射膜堆叠反射至少一部分的图案化能量源至光敏层的背侧；通过第一开口图案化反射膜堆叠以形成第二开口，露出目标层；以及通过第二开口图案化目标层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284792 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110120769.7 (22)申请日 2021.01.28 (30)优先权数据 62/968,48