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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括：在衬底上的有源图案；在有源图案上的源/漏图案；与源/漏图案连接的沟道图案，沟道图案包括堆叠并彼此间隔开的半导体图案；跨沟道图案延伸的栅电极；以及在栅电极和源/漏图案之间的内间隔物。半导体图案包括堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案。栅电极包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别顺序堆叠在衬底与第一和第二半导体图案之间。内间隔物包括在栅电极的第一部分和源/漏图案之间的第一气隙和在栅电极的第二部分和源/漏图案之间的第二气隙。第一气隙的最大宽度大于第二气隙的最大宽度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141769 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202110691699.0 (22)申请日 2021.06.22 (30)优先权数据 10-2020-0