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实施例公开了一种半导体器件,包括:衬底;发光结构,在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层、以及部分第一导电半导体层的多个凹槽;第一电极,电连接到第一导电半导体层;第二电极,电连接到第二导电半导体层;第一导电层,与第一电极电连接;第二导电层,与第二电极电连接,第二导电半导体层包括设置在第一方向上最邻近的两个凹槽之间的1‑1表面,1‑1表面包括设置有在第一方向上彼此间隔开的多个第二电极的第一部分和设置在多个第二电极之间的第二部分,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114093994 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202111318032.2 (74)专利代理机构 苏州锦尚知识产权代理事务
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