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氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法.pdf

    本发明实现了一种包括在单晶第III族氮化物半导体部上的单晶第II‑IV族氮化物半导体部的构造。氮化物半导体结构体(1)包括第III族氮化物半导体部(3)和第II‑IV族氮化物半导体部(4)。第III族氮化物半导体部(3)是单晶。第III族氮化物半导体部(3)具有预定晶面。第II‑IV族氮化物半导体部(4)设置在第III族氮化物半导体部(3)的预定晶面上。第II‑IV族氮化物半导体部(4)是单晶。第II‑IV族氮化物半导体部(4)含有第II族元素和第IV族元素。第II‑IV族氮化物半导体部(4)与

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114514616 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202080070160.7 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任

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