原创力文档- 2
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- 2023-06-17 发布于四川
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实施方式的半导体存储装置具备衬底、多个第1字线、第1、第2选择栅极线、第1、第2半导体柱、第1、第2位线、及第1、第2晶体管。多个第1字线在与衬底表面交叉的第1方向上排列。第1、第2选择栅极线在第2方向上延伸，从第1方向上看与多个第1字线重叠。第1、第2选择栅极线在第2方向上排列。第1、第2半导体柱在第1方向上延伸。第1半导体柱与多个第1字线及第1选择栅极线对向。第2半导体柱与多个第1字线及第2选择栅极线对向。第1、第2位线在第3方向上延伸，从第1方向上看与第1、第2半导体柱重叠。第1晶体管电连
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497051 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202110804931.7 H01L 27/11573 (2017.01)
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