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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开提供半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。所述半导体存储装置包括：源极结构；层叠导电层，其与所述源极结构重叠；第一选择导电层和第二选择导电层，其布置在所述源极结构和所述层叠导电层之间；层叠绝缘层，其布置在所述第一选择导电层和所述第二选择导电层与所述层叠导电层之间；以及分离绝缘结构，其设置在所述第一选择导电层和所述第二选择导电层之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497056 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202110968524.X
(22)申请日 2021.08.23
(30)优先权数据
10-2020-0150833
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