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- 2023-06-17 发布于四川
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一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，分别在衬底的第一有源区和第二有源区上；栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上；有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案中的至少一个电连接；栅极接触，与栅电极电连接；第一金属层，在有源接触和栅极接触上，并包括第一电力线和第二电力线；以及第一栅极切割图案和第二栅极切割图案，在第一电力线和第二电力线下方。第一有源图案可以包括在一对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案。第二有源图案可以包括在一对第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案。第一栅极切割图
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497040 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202110971178.0
(22)申请日 2021.08.23
(30)优先权数据
10-2020-0151739
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