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- 2023-06-17 发布于四川
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图像传感器包括像素和隔离结构。像素包括光敏区域和紧邻光敏区域的电路区域。隔离结构位于像素上方，其中，隔离结构包括导电栅格和覆盖导电栅格的侧壁的介电结构，并且隔离结构包括与光敏区域重叠的开口或凹槽。隔离结构围绕光敏区域的外围区域。本申请的实施例还涉及制造图像传感器的方法和半导体器件。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464637 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202210042467.7
(22)申请日 2022.01.14
(30)优先权数据
63/137,871 2021
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