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- 2023-06-17 发布于四川
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公开了一种具有有源器件单元阵列和伪器件单元阵列的集成电路(IC)及其制造方法。IC包括衬底、有源器件单元和伪器件单元。有源器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极(S/D)区域的阵列和设置在衬底上的具有第一栅极填充材料的栅极结构的阵列。伪器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极区域的第一阵列、设置在衬底上或衬底内的第二导电类型的源极/漏极区域的第二阵列以及设置在衬底上的双栅极结构的阵列。每个双栅极结构包括第一栅极填充材料和与第一栅极填充材料不同的第二栅极填充材
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464618 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202210027212.3
(22)申请日 2022.01.11
(30)优先权数据
63/136,972 2021
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