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二次电池及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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二次电池及电子设备.pdf

    本发明涉及一种二次电池及电子设备。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497706 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111233015.9 (51)Int.Cl.

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