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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开提供一种具有不同深宽比的导电栓柱与含锰衬垫层的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一第一导电层，设置在该基底上；一第一介电层，设置在该第一导电层上；一第一导电栓柱与一第二导电栓柱，设置在该第一介电层中，其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱包含铜，并通过包含锰的一第一衬垫层而与该第一介电层分隔开；其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱具有不同深宽比。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114496977 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202110908628.1 H01L 27/108 (2006.01)
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