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半导体结构包括位于第一导线和第二导线上方的第一介电层、位于第一介电层的部分上方的高电阻层、位于第二介电层上方的低k介电层、位于高电阻层上的第二介电层、延伸穿过低k介电层和第二介电层的第一导电通孔以及穿过低k介电层和第一介电层延伸至第一导线的第二导电通孔。第一导电通孔延伸至高电阻层中。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284874 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110172193.9
(22)申请日 2021.02.08
(30)优先权数据
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