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一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底的至少一个表层为半导体材料层；去除部分半导体材料层，形成多个并行的鳍部，其中，所述多个并行的鳍部包括至少一个隔离鳍部和至少一个有源鳍部；在所述隔离鳍部的上方形成支撑结构；在所述支撑结构两侧的有源鳍部上形成掺杂结构；形成覆盖所述掺杂结构的层间介质层，所述层间介质层的顶面暴露所述支撑结构；至少去除所述层间介质层之间的支撑结构，形成隔离沟槽；形成填充在所述隔离沟槽内的隔离结构，从而提高了器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113972171 A
(43)申请公布日 2022.01.25
(21)申请号 202010724655.9
(22)申请日 2020.07.24
(71)申请人 中
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