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本发明公开了一种ALD‑CVD两步法生长二碲化钨薄膜的方法，其中，所述方法包括：用无水乙醇超声清洗蓝宝石衬底，氮气吹干；以六氟化钨和乙硅烷作为前驱体，在所述蓝宝石衬底上采用原子层沉积法生长钨薄膜；切割并用无水乙醇超声清洗长有钨膜的所述蓝宝石衬底，烘干；以钨粉为原料，采用化学气相沉积法对所述钨膜进行碲化，完成二碲化钨薄膜的生长。解决了现有技术中在制备钨薄膜过程中，无法准确控制制备厚度的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116262970 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202111531697.1 C23C 16/30 (2006.01)
(22)申请日 2021.12.
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