原创力文档- 21
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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种改善CVD表面缺陷的方法，包括以下步骤：把陪片与硅片进行清洗后，将两者的背面贴上白膜并放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，此过程分为两个阶段，第一阶段是使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，开始沉积为硅片做衬底；第二阶段是通入硅烷进行沉积，完成化学气相沉淀过程将两者取出，最后去除两者背面的白膜。所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其光滑的高分子化合物使得硅片表面粗糙度进一步降低，并且白膜的粘性不会对硅片背面的氧化层造成影响，从而在化学气相沉淀过程中有效的抵挡住各种杂质，显著的减少C
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270312 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110523983.7 C11D 7/06 (2006.01)
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