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具有测试结构的半导体装置及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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具有测试结构的半导体装置及其制备方法.pdf

    本申请公开一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置包括：一第一测试区；一字元线结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第一轴排列；一第一柱的电容插塞结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第二轴排列，该第二轴与该第一轴垂直；一第二柱的电容插塞结构，相邻设置于该第一柱的电容插塞结构，且平行于该第一柱的电容插塞结构排列；及一第一测试结构，包括一第一漏极部分及一第一源极部分，该第一漏极部分沿着该第二轴延伸，该第一源极部分沿着该第二轴延伸。该第一漏极部分设置于该第一柱的电容插塞结构上，且该第一源极部分设置于

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114429945 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202111025666.9 (22)申请日 2021.09.02 (30)优先权数据 17/084,05

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