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本申请公开了半导体器件及方法。公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括延伸到源极/漏极区域中，在源极/漏极区域的最顶表面下方的源极/漏极接触件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一栅极堆叠，在半导体衬底之上并且围绕第一沟道区域的四个侧；第一外延源极/漏极区域，与第一栅极堆叠和第一沟道区域相邻；以及第一源极/漏极接触件，耦合至第一外延源极/漏极区域，第一源极/漏极接触件的最底表面延伸到第一沟道区域的最顶表面下方。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270404 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110014896.9
(22)申请日 2021.01.06
(30)优先权数据
16/887,21
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