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相同半导体基板上的不同种类的电子装置的晶体管,设置为具有不同晶体管特性以增加不同种类的电子装置的效能。可由多种半导体制造工艺如蚀刻、微影、工艺负载、遮罩或其他工艺,使鳍状物高度、浅源极/漏极高度、源极或漏极宽度及/或一或多种其他晶体管特性一起最佳化,以用于不同种类的电子装置。这可增加相同半导体基板上的多种电子装置的效能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114927517 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210223103.9
(22)申请日 2022.03.09
(30)优先权数据
63/173,067 2021
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