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本发明涉及一种用于计算形成于半导体装置晶片上的至少第一层、第二层与第三层之间的偏移的多层莫尔目标，其包含周期性结构堆叠的至少一个群组，所述至少一个群组各自包含：第一堆叠，其包含第一堆叠第一周期性结构(S1P1)，所述S1P1沿着第一轴具有S1P1间距；第二堆叠，其包含第二堆叠第一周期性结构(S2P1)，所述S2P1沿着第二轴具有S2P1间距；及第三堆叠，其包含第三堆叠第一周期性结构(S3P1)，所述S3P1沿着第三轴具有S3P1间距；所述第一轴平行于x轴或y轴，且所述堆叠中的至少一者包含第二周期
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114008754 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202080041780.8 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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