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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法，涉及无机非金属材料技术领域。包括以下步骤：将硅粉、纳米碳黑及SiC晶种均匀混合后，获得混合粉体，再将混合粉体压制成坯体，随后采用微波加热，于800～1100℃保温15～30min合成SiC晶体，即得所述晶种诱导微波合成SiC晶体。本发明提供方法相比于工业上现用的晶种诱导技术，本文工艺将极大的降低SiC晶体合成的难度和工艺条件。微波加晶种复合诱导合成SiC具有良好的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113264774 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110702201.6
(22)申请日 2021.06.24
(71)申请人 郑州航空工业管理学院
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