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本发明提供一种存储器及其制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的存储密度低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底包括相连的中心区和边缘区，边缘区中形成有与基底中的字线结构电连接的第一接触结构；于边缘区上形成与第一接触结构电连接的第二接触结构；于中心区上形成与字线结构电连接的电容结构；于第二接触结构上形成与第二接触结构电连接的第三接触结构；于电容结构和第三接触结构上形成与字线结构电连接的晶体管结构，晶体管结构在基底上的正投影与电容结构和第三接触结构在基底上的正投影至少部分重合，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695268 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011622620.0
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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