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一种高功率密度IGZO薄膜晶体管.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种高功率密度IGZO薄膜晶体管.pdf

    本发明涉及一种高功率密度IGZO薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一基底、第二基底；第二基底位于第一基底上；栅电极，位于所述第二基底上；第一层栅介电层位于所述栅电极之上的一端；第二层栅介电层位于所述栅电极之上，其一端覆盖住第一层栅介电层，二者构成“阶梯型”栅介电层；铟镓锌氧化物IGZO有源层，位于所述“阶梯型”栅介电层上并覆盖住第一层栅介电层和第二层栅介电层；第一源电极、第二漏电极，位于铟镓锌氧化物IGZO有源层上相对两侧，其中第二漏电极位于第一层栅介电层之上方一侧，第一源电极位于远离第一层栅介电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270479 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110544979.9 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 东南

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