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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含鳍状结构设于基底上、浅沟隔离环绕该鳍状结构、第一金属栅极设于鳍状结构上、第二金属栅极设于第一金属栅极一侧的鳍状结构边缘以及浅沟隔离上、第三金属栅极设于第一金属栅极另一侧的鳍状结构边缘以及浅沟隔离上、源极/漏极区域设于第一金属栅极两侧的基底中、层间介电层设于基底上并围绕第一金属栅极、第二金属栅极以及第三金属栅极、多个接触插塞电连接源极/漏极区域以及金属硅化物设于该多个接触插塞及源极/漏极区域之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284892 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110417853.5 H01L 29/78 (2006.01)
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