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半导体器件的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件的形成方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件的形成方法，在沉积绝缘层于第二电极层表面、暴露的第一电极层表面及位于所述第一电极层中的开口中之后，利用与沉积所述绝缘层的第一反应气体不同的第二反应气体，去除位于所述第二电极层上方的部分厚度的所述绝缘层，如此，可避免由第一反应气体所产生的溅射而造成的第一电极层和/或第二电极层损伤，从而能够避免第一电极层或第二电极层短路。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270394 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110545939.6 (22)申请日 2021.05.19 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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