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采用替代N型FET源极/漏极(S/D)以避免或防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路以及相关制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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采用替代N型FET源极/漏极(S/D)以避免或防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路以及相关制造方法.pdf

    公开了采用替代N型FET(NFET)源极/漏极(S/D)以防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路及其形成方法。公开的用于形成FinFET电路的方法包括：形成两个P型epi‑S/D(406)，一个在P型扩散区域(410)中的鳍部上，一个在N型扩散区域(404)中的鳍部上；形成边界层(410、422)以使P型epi‑S/D隔离；以及然后用N型epi‑S/D(416)替代N型扩散区域中的边界层下方的P型epi‑S/D。在公开的方法中，采用掩模用N型epi‑S/D替代P型epi‑S/D，但是其不同

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114641856 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202080076642.3 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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