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2023-06-17 发布于四川
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一种去除离子注入后光刻胶的方法.pdf

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本发明公开了一种去除离子注入后光刻胶的方法，采用等离子体去胶工艺,通入氧气去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡，通过观察硅片正面是否为金属表面，对应有两种不同的处理方法；对于表面为非金属化的硅片先采用湿法工艺去胶，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后通入氩气与氢气的等离子体轰击硅片的氧化层；对于表面为金属化的硅片先通入氧气开始氧化过程，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后进行通氢气的还原反应过程退火或采用通氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；本发明通过不同的处理方式，使

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113253581 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110523997.9 (22)申请日 2021.05.13 (71)申请人中国振华集团永光电子有限公司

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