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提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括:第一基底,包括背对的第一表面和第二表面;模制结构,包括堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极;沟道结构,穿过模制结构;第一接触过孔,穿透第一基底;第二基底,包括背对的第三表面和第四表面;电路元件,在第二基底的第三表面上;第一贯穿过孔,穿过模制结构,连接第一接触过孔和电路元件,第一贯穿过孔包括第一导电图案以及将第一导电图案与模制结构分开的第一间隔膜;以及第二贯穿过孔,穿过模制结构且与第一贯穿过孔分隔开,第二贯穿过孔包括第二导电图案
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388524 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111215356.3 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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