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一种沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管.pdf

    本发明涉及一种沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。该晶体管结构特点：发射极金属接触区、N+集电极、绝缘介质层、栅极金属接触区、P+集电极、P‑沟道区、N‑漂移区、P+衬底和集电极金属接触区。本发明的沟槽型GaNIGBT在保证正向导通特性不变的前提下，充分发挥宽禁带半导体GaN材料在耐压方面的优势。器件的击穿电压达到850V，相比于同尺寸MOS管，提高了13.33％，器件的关断速度可达23ns。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270492 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110522444.1 (22)申请日 2021.05.13 (71)申请人 重庆邮电大学 地址

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