半导体器件以及制造该半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件以及制造该半导体器件的方法.pdf

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半导体器件可以包括基板，该基板包括单元区域以及核心/外围区域。多个位线结构可以在基板的单元区域中。栅极结构可以在基板的核心/外围区域中。下接触插塞和上接触插塞可以在位线结构之间。下接触插塞和上接触插塞可以在竖直方向上堆叠。着陆焊盘图案可以接触上接触插塞的上侧壁。着陆焊盘图案可以在上接触插塞的上部与位线结构中的一个的上部之间。着陆焊盘图案的上表面可以高于位线结构中的每个的上表面。外围接触插塞可以在基板的核心/外围区域中。布线可以电连接到外围接触插塞的上表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068552 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110749363.5 (22)申请日 2021.07.02 (30)优先权数据 10-2020-0