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本发明公开了一种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法，包括外炉，外炉包括顶盖，顶盖底部固定安装有中部炉体,中部炉体底部固定安装有底盖，顶盖顶部固定安装有卸荷口，卸荷口两侧分别固定安装有连接柱，中部炉体一侧固定安装有真空装置，中部炉体另一侧固定安装有氮气输送装置，支撑柱在靠近氮气输送装置一侧固定安装有控制器。该种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法，结构简单合理，设计新颖，通过外炉有顶盖、中部炉体和底盖三段式设立，达到装置前期便于运输和安装的目的，同时便于装置后期在对多晶硅加热时，通过防护座和集硅池的设置，达
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113279059 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202011043384.7
(22)申请日 2020.09.28
(71)申请人 晶海洋半导体材料（东海）有限公司
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